SiSH101DN_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）的主要參數包括：最大漏極電流ID為70A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至6.5mΩ，柵源電壓VGS為20V。該器件適合用于低壓大電流應用場景，如直流電源轉換、電池供電系統及負載開關等電路設計。其低導通電阻可有效降低功率損耗，提升系統效率，同時支持較高的電流承載能力，適用于對空間布局和能效有要求的電子設備中。
