STD30NF06LAG_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備卓越的電氣性能，其最大連續漏極電流ID可達30A，能夠承受高達60V的漏源電壓VDSS。該器件擁有低至22mΩ的導通電阻RDON，確保了在高負載下的高效能運行。同時，它支持-20V到@0V的柵源電壓VGS范圍，適用于要求快速開關和良好熱性能的應用場景。此MOSFET是電源管理、LED照明以及消費電子等領域中實現電路控制與保護的理想選擇。
