FTK6911_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:140mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備2安培的最大持續漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高壓環境下的穩定性。導通電阻（RDON）低至140毫歐，在高電流應用中可減少發熱，提升效率。柵源極閾值電壓（VGS）為20伏，支持寬范圍的驅動電壓選擇。該器件適用于各種電源管理電路，如開關模式電源、電池管理和負載切換等，能有效控制電流流動，實現節能與空間利用的優化設計。
