FDD050N03B_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計用于滿足高性能電路的需求，具有連續漏極電流ID為100安培，最大漏源電壓VDSS達30伏特，確保了在各種應用中的穩定表現。其導通電阻RDON僅為3.8毫歐，在高電流傳輸時能有效降低熱損耗，提升效率。柵源電壓VGS的最大值設定為20伏特，保證了與多種驅動電路的良好兼容性。該元件適用于構建高效開關電源、電信設備以及各類消費電子產品中的復雜電路結構，支持精準的電流控制和快速切換操作。
