SSM3J351R,LF_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:115mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）設計具有3安培的最大持續漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要穩定高壓操作的應用。其導通電阻（RDON）為115毫歐，能夠在高電流條件下減少發熱，提高效率。柵源極閾值電壓（VGS）設定在20伏，提供寬范圍的驅動電壓兼容性。此器件適用于多種電源管理方案，例如開關模式電源轉換、電池管理和負載切換等電路中，能夠有效控制電流流動，實現高效能與緊湊設計的完美結合。
