IPD06P004N_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:64mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此P溝道場效應管(MOSFET)具有穩定的電氣性能，支持最大連續漏極電流ID達20A，適用于需要較高負載能力的場景。其漏源電壓VDSS為60V，提供足夠的過壓保護空間。導通電阻RDON為64mΩ，有助于減少能量損耗，提升效率。柵源電壓VGS上限至20V，確保了與多種驅動電路的良好匹配性。該MOSFET適合應用于消費電子、智能家居等領域的開關控制及電源管理，能夠有效增強系統穩定性和能效表現。
