N0400P-ZK-E1-AY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:25A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:31mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備出色的電氣特性，其最大連續(xù)漏極電流ID為25A，能夠支持較大負(fù)載。漏源電壓VDSS達(dá)到40V，保證了在較高電壓應(yīng)用中的可靠性。導(dǎo)通電阻RDON僅為31mΩ，有效降低了開關(guān)損耗和熱產(chǎn)生，提高系統(tǒng)效率。柵源電壓VGS范圍至20V，確保了良好的驅(qū)動兼容性。這款MOSFET適合應(yīng)用于需要高效能、低功耗轉(zhuǎn)換的場合，例如消費電子產(chǎn)品中的電源管理電路或家用電器內(nèi)的控制模塊，以實現(xiàn)更加緊湊且節(jié)能的設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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