IRLR3717PbF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有80安培的最大持續(xù)漏極電流（ID）和20伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要高效電流控制的電路。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為3.5毫歐，有助于降低功耗，提高系統(tǒng)的整體效率。柵源極閾值電壓（VGS）為12伏，確保了在多種應(yīng)用場景下的穩(wěn)定驅(qū)動性能。此器件特別適合用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及電池管理等電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)快速、可靠的開關(guān)操作，并支持緊湊設(shè)計(jì)中的熱管理優(yōu)化。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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