NP32N055SLE_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30安培的最大漏極電流ID，能夠支持較高功率的應(yīng)用場(chǎng)景。其最大漏源電壓VDSS達(dá)到60伏特，適用于多種工作環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。該器件的導(dǎo)通電阻僅為22毫歐姆，確保了低功耗和高效運(yùn)行。柵源電壓VGS在±20伏特范圍內(nèi)工作，使得它成為需要良好熱性能與可靠性的電子設(shè)備的理想選擇，如電源管理、消費(fèi)電子產(chǎn)品等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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