AOT10N65_TO-220H_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:860mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數如下：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS高達650V，導通電阻RDON為860mΩ，柵源電壓VGS為30V。該器件適用于高電壓和中等電流應用場景，如開關電源、變換器及功率因數校正電路等。較高的漏源電壓使其能在高壓環境中穩定工作，同時具備良好的開關特性和熱穩定性，適合用于對可靠性與效率有一定要求的功率電子設備中。
