RQ3E150GNTB_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有高達60A的連續漏極電流（ID），適用于大電流需求的電路設計。其最大工作電壓（VDSS）為30V，適合多種低壓應用場合。導通電阻（RDSON）僅為4毫歐，能夠顯著降低能耗，提升系統的整體效率。該MOSFET的最大柵源電壓（VGS）為20V，保證了良好的驅動兼容性和控制精度。這些特性使其成為開關電源、電機控制及高功率密度轉換解決方案中的關鍵元件。
