SI1926DL-T1-E3_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道增強型場效應管（MOSFET）設計有0.1A的連續(xù)排水電流（ID），并能承受高達60V的斷態(tài)電壓（VDSS）。其特征還包括在20V柵源電壓（VGS）下的導通電阻（RDSON）為1300毫歐。該MOSFET適用于低電流需求的應用場景，如消費電子產品的電池保護電路、便攜裝置中的負載開關或信號調節(jié)等，能夠在小電流環(huán)境下提供可靠的性能。
