SI2351DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2.3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:120mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管支持2.3A的連續漏極電流，具備20V的最大漏源電壓能力。其導通電阻為120毫歐姆，確保了在工作時具有較低的能量損耗。柵源電壓范圍達到12V，適合于需要高精度控制的應用場合。由于其優良的電氣特性和可靠性，該MOSFET非常適合用于消費電子產品及家用設備中的電源管理電路、負載開關以及其他要求高效能轉換和穩定工作的電子設計中。
