HUF76429D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有30A的連續漏極電流（ID）能力，最大漏源電壓（VDSS）為60V，并能在20V的柵源電壓（VGS）下工作。其導通電阻（RDSON）僅為0.022Ω，有效降低了導通狀態下的能量損耗，提高了系統的整體效率。該MOSFET適用于消費電子產品的電源管理，如電池充電控制、直流電機驅動以及其他需要高效能電力轉換的應用場合。
