BSZ0901NSIATMA1_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流（ID/A），適合應(yīng)用于大電流需求的電路設(shè)計中。其耐壓值（VDSS/V）為30V，適用于低壓大電流場景。導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）低至2毫歐，有助于減少電力損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。柵源電壓（VGS/V）的最大承受范圍為20V，確保了驅(qū)動兼容性。該MOSFET可以用于高性能的電源開關(guān)、逆變器以及需要快速開關(guān)特性的電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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