RQ5C025TPTL_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有3A的最大連續漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種電路設計。其導通電阻（RDON）僅為60毫歐，在12V柵源電壓（VGS）下能夠提供高效的電流控制能力，減少能量損耗。該元件適合用于電源管理、信號切換等應用場景，確保穩定可靠的性能表現。
