RRH090P03GZETB_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:12A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道MOSFET具備12A的漏極電流（ID/A），最高工作電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通狀態(tài)下漏源之間的電阻（RDSON）低至10毫歐，有助于減少能量損失。其柵源電壓（VGS）額定值為±20V，便于電路設(shè)計(jì)中的精確控制。該MOSFET適合應(yīng)用于要求高效轉(zhuǎn)換與穩(wěn)定性的電子產(chǎn)品中，例如日常家用電器內(nèi)的電源管理系統(tǒng)或智能設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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