AO3456_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為5.8A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為22mΩ，柵源電壓VGS為20V。該器件適用于需要高效能與低導通損耗的電路設計，例如電源管理、開關穩壓器及負載開關等場景。其低導通電阻特性有助于減少工作時的功率損耗，提高整體系統效率，并且支持較高的電流承載能力，適合用于緊湊型高密度電路板布局。
