SIR882DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的連續(xù)漏極電流（ID/A），可在高達(dá)100V的漏源電壓（VDSS/V）下正常操作。其導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）僅6.4毫歐，在20V的柵源電壓（VGS/V）條件下，有效降低了導(dǎo)通時的功耗。該MOSFET適用于消費電子產(chǎn)品中的開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器及各類負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，有助于提升系統(tǒng)的整體效率與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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