Si2351DS_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:120mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)擁有2.3A的持續(xù)漏極電流(ID)能力，能夠承受最高20V的漏源電壓(VDSS)，適用于對功率要求適中的應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻僅為120mΩ(RDON)，有助于減少工作時的熱損耗。此MOSFET支持高達12V的柵源電壓(VGS)，確保了在多種電路設(shè)計中靈活可靠的操作性能。它適合用于消費電子設(shè)備、家用電器等場合，在這些領(lǐng)域內(nèi)可作為高效的開關(guān)或信號控制元件使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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