NP22N055SLE_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道MOSFET擁有30A的最大漏極電流能力，能夠滿足中等功率應(yīng)用的需求。其60V的最大漏源電壓使其適用于多種低壓環(huán)境下的電路設(shè)計。導通電阻為22mΩ，有助于降低功耗并提高整體效率。此外，支持高達20V的柵源電壓，確保了良好的驅(qū)動兼容性。該MOSFET適合用于消費電子產(chǎn)品、家用電器以及各種需要精確控制與高效能源管理的場合，是實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關(guān)和電源管理功能的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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