IPD30N03S4L09ATMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的最大工作電壓（VDSS），可在高達100A的連續電流（ID/A）下工作，并且在導通狀態下擁有低至3.8毫歐的漏源電阻（RDSON）。其最大柵源電壓（VGS）為±20V，適合用于要求低功耗和高效率的電路設計中，例如便攜設備充電器或家用電器的電源轉換電路，能有效提升系統的整體效率并降低發熱。
