SI2306BDS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:28mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管（MOSFET）為N溝道類型，具備5.8A的連續漏極電流（ID），可在最高30V（VDSS）的電壓下工作。其導通電阻（RDSON）僅為28毫歐，在12V的柵源電壓（VGS）驅動下能夠有效降低功耗。此MOSFET適用于設計要求高效能與低能耗的應用場合，如便攜式設備、消費電子產品中的電源管理及信號開關等。其出色的電氣特性使其成為高性能電路設計的理想選擇。
