DMN62D0UDWQ-13_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）的設計參數包括：最大工作電流（ID）為0.1A，漏源極間最大電壓（VDSS）為60V，導通狀態下的漏源電阻（RDSON）為1300毫歐，以及所需的柵源電壓（VGS）為20V。該MOSFET適用于多種電路設計中作為開關或放大元件，特別是在需要精確控制的小電流應用中，例如電池供電的裝置或是家用電器內的微控制器接口等。
