IPD25N06S4L-30_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續漏極電流（ID），適用于要求較高電流承載能力的設計。其最大漏源電壓（VDSS）為60V，適用于低壓大電流應用環境。導通狀態下的低電阻（RDSON）僅22毫歐，有助于減少電力損耗，提高效率。最大柵源電壓（VGS）為20V，提供穩定的控制信號范圍。該MOSFET適用于消費電子產品中，如開關電源、LED照明驅動及電池管理系統等場合。
