DMN10H170SK3-13_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有較高的電流承載能力，其連續漏極電流（ID/A）可達15A。器件設計能夠承受高達100V（VDSS/V）的工作電壓，適用于需要高壓處理的應用場景。柵源閾值電壓（VGS/V）為20V，確保了可靠的開啟與關閉狀態。導通電阻（RDSON/mR）低至100毫歐，有助于降低能耗，提升系統的整體效率。該MOSFET適用于消費電子產品中的電源開關、DC/DC轉換器以及需要高效能轉換的場合。
