BSC066N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的最大持續電流（ID/A），能夠承受最高60V的漏源電壓（VDSS/V）。導通電阻僅為5.3毫歐（RDSON/mΩ），保證了在大電流條件下仍能保持較低的功耗。柵源電壓（VGS/V）的絕對值可達±20V，為驅動提供了寬泛的電壓范圍。該MOSFET適用于需要高效能和高可靠性的工作環境，如電源管理、便攜式設備中的開關應用以及電池供電電路等。其性能特點使其成為設計中實現電流控制與轉換的理想選擇。
