IPD220N06L3GBTMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備50安培的最大漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高電流和高壓環境下的穩定性。導通電阻（RDS(on)）僅為15毫歐，有助于減少功率損耗并提高效率。柵源開啟電壓（VGS）為20伏，使得該元件能夠在較寬的電壓范圍內可靠操作。此MOSFET適用于需要高效能、低熱生成和緊湊設計的應用中，例如電源管理、電池充電電路以及各種電子設備中的開關控制。
