CSD17576Q5B_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備卓越的電氣性能，適用于多種電子設(shè)計(jì)需求。其最大連續(xù)漏極電流ID可達(dá)150A，支持高功率應(yīng)用；漏源電壓VDSS為30V，適合較低電壓環(huán)境下的操作；導(dǎo)通電阻僅為2毫歐姆，有效減少能耗并提高系統(tǒng)效率；柵源電壓VGS范圍至20V，提供廣泛的驅(qū)動(dòng)條件選擇。該MOSFET以其低內(nèi)阻和大電流承載能力，在需要高效能開關(guān)或線性控制的場合表現(xiàn)出色。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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