NTD6414ANT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管具備30A的最大漏極電流ID，能夠滿足較大電流負載的需求。其最大漏源電壓VDSS為100V，適用于多種高壓環境下的應用。35mΩ的低導通電阻RDON有助于顯著降低功耗，提高系統效率。柵源電壓VGS為20V，確保了良好的開關控制性能。該MOSFET非常適合用于消費電子設備中的電源管理、開關電路以及需要高效能轉換的應用場合。
