ST18N10D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備15A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓達(dá)到100V，確保了在較高電壓應(yīng)用中的可靠性。其導(dǎo)通電阻僅為100mΩ，有效降低了工作時(shí)的能量損耗，提高了效率。柵源電壓范圍為20V，提供了良好的驅(qū)動(dòng)兼容性。這款MOSFET適用于需要精確控制與高效能量轉(zhuǎn)換的電路設(shè)計(jì)中，如電源管理、開關(guān)模式電源以及各類電子設(shè)備內(nèi)的信號(hào)處理環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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