IPD650P06NM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:55mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有20安培的最大漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓和中等電流的應用場合。其導通電阻（RDS(on)）為55毫歐，保證了較低的功率損耗，有助于提高電路效率并減少熱量產生。該元件的柵源開啟電壓（VGS）設定在20伏，確保了穩定的操作性能。此MOSFET適合用于需要高效開關操作和良好熱管理的電子設備中，例如電源管理模塊、電池充電控制以及各種便攜式電子裝置中的負載切換應用。
