NTD2955T4G_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:125mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管支持10A的連續(xù)漏極電流，具備60V的漏源電壓耐受能力。其導(dǎo)通電阻僅為125毫歐姆，有助于減少功率損耗并提高整體效率。柵源電壓范圍達(dá)到20V，使得該MOSFET適用于各種電路設(shè)計(jì)中需要較高電流處理能力和快速開關(guān)特性的場(chǎng)合。它非常適合用于消費(fèi)電子設(shè)備中的電源控制、負(fù)載切換等應(yīng)用領(lǐng)域，能夠滿足對(duì)性能與可靠性有嚴(yán)格要求的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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