SI7850DP-T1-E3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備30A的漏極電流能力和60V的漏源擊穿電壓，適用于需要高效能開關的應用場景。其導通電阻為20mΩ，有助于降低功耗并減少發熱。支持高達20V的柵源電壓，確保了在不同工作條件下的穩定性和可靠性。該MOSFET非常適合用于要求高效率和緊湊設計的消費電子產品中，如電源管理、照明控制等領域。
