PMV280ENEA_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:210mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道MOSFET支持高達(dá)3A的連續(xù)漏極電流和100V的最大漏源電壓，適用于需要較高電壓處理能力的應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻為210毫歐姆，有助于降低功耗。柵源電壓范圍達(dá)到20V，提供了良好的開(kāi)關(guān)控制性能。該器件非常適合用于消費(fèi)電子、家用電器等領(lǐng)域中的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及放大電路等用途。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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