SI2343CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.1A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)具備4.1A的連續漏極電流(ID)能力，適用于中等功率需求的應用場景。它能承受30V的漏源電壓(VDSS)，并擁有低至48毫歐姆的導通電阻(RDON)，確保了高效的電流傳導同時減少能量損失。該MOSFET支持最大20V的柵源電壓(VGS)，易于集成到多種電子設備的設計之中。因其優秀的電氣性能，特別適合用于消費類電子產品、家用電器以及便攜式裝置中的開關控制和電源管理電路。
