IRLR3636TRPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備強(qiáng)大的電流處理能力，其最大連續(xù)漏極電流ID可達(dá)80A，適用于高負(fù)載場景。該器件支持最高60V的漏源電壓VDSS，并且擁有僅為6mΩ的低導(dǎo)通電阻RDON，有效降低了工作時(shí)的能量損耗。柵源電壓VGS為20V，確保了良好的驅(qū)動(dòng)性能。由于其優(yōu)異的電氣特性，這款MOSFET非常適合應(yīng)用于需要高效開關(guān)控制的各種電子設(shè)備中，如電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)等，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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