SiRA18BDP_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:45A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET具有45A的連續漏極電流承載能力和30V的最大漏源電壓，其導通電阻僅為6mΩ，有效降低了電力傳輸過程中的能量損耗。支持高達±20V的柵源電壓，保證了廣泛的工作條件適應性。適用于各種電源轉換、信號放大以及電子開關應用，如筆記本電腦充電器、家用電器控制器等，能夠提供高效的電能管理和穩定的性能表現。
