L2SK3018WT1G_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:1500mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有0.1A的最大連續漏極電流（ID）和30V的漏源極擊穿電壓（VDSS），適合用于低功耗電路的設計中。其導通電阻（RDON）為1500毫歐，即使在小電流應用中也能保持較低的功耗，提升整體效率。該MOSFET支持高達20V的柵源電壓（VGS），為不同的應用場景提供了靈活性。此款元件憑借其緊湊的尺寸和優秀的電氣性能，特別適用于便攜式電子產品和信號處理電路中。
