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ST2309ES_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:2A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:140mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備2安培的最大持續(xù)漏極電流(ID)和60伏的漏源極擊穿電壓(VDSS),適用于多種需要高效開關(guān)性能的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(on))為140毫歐,雖然相對(duì)較高,但在低電流應(yīng)用中仍能提供有效的功率管理。柵源極閾值電壓(VGS)為20伏,確保了穩(wěn)定的開關(guān)特性。此元件適合應(yīng)用于電源管理、信號(hào)調(diào)節(jié)以及各類電子設(shè)備中的控制電路,能夠?qū)崿F(xiàn)精確的電流控制與快速響應(yīng),是設(shè)計(jì)緊湊型電路的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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