FDN302P_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道MOSFET場效應(yīng)管提供5安培的連續(xù)漏極電流（ID）以及20伏特的最大漏源電壓（VDS），適用于多樣化的電子設(shè)備中。它擁有35毫歐的低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），在12伏特的柵源電壓（VGS）下工作表現(xiàn)尤為突出，保證了高效率和低熱量產(chǎn)生。此元件非常適合用于電源管理、信號切換和保護(hù)電路等應(yīng)用領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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