SI2319DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:68mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）擁有5A的連續漏極電流（ID）和40V的最大漏源電壓（VDSS），適用于多樣化的電路設計。其導通電阻（RDS(on)）為68mΩ，在20V的柵源電壓（VGS）下工作，確保了在低電壓條件下仍能保持良好的導電性能和較低的能耗。此元件廣泛適用于電源轉換、信號處理等應用領域，尤其在需要高效能和低熱產生的情況下表現優異，是眾多電子設備的理想選擇。
