FDD5614P_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:64mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款P溝道MOSFET場效應(yīng)管，具備20A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源極耐壓（VDSS），確保了其在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為64mΩ，在保證高效能的同時，有效降低了發(fā)熱。該元件支持±20V的柵源電壓（VGS），增強了電路設(shè)計的靈活性。適用于需要精確電流控制和快速開關(guān)響應(yīng)的電子產(chǎn)品中，如電源管理、信號放大等場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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