SI4850EY-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續漏極電流（ID）和60V的最大漏源電壓（VDSS），適用于廣泛的電路設計需求。其導通電阻（RDS(on)）為20mΩ，在20V的柵源電壓（VGS）下操作，保證了低損耗和高效的性能。該元件特別適合應用于電源管理、電池充電電路以及各種消費電子產品中，作為開關或放大元件，能夠實現精確控制和穩定運行。
