Si2321DS_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）的關鍵參數(shù)包括：最大漏極電流ID為4.2A，最高漏源電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為48mΩ，以及柵源電壓VGS范圍為±12V。這款MOSFET適用于多種需要精確控制電流的電路中，比如電源轉換器、電池保護電路及電子設備中的開關控制。它憑借較低的導通電阻和良好的熱穩(wěn)定性，能夠有效降低能耗，提升電路的整體效率。此外，其小巧的設計便于集成到各種緊湊型設備中，滿足多樣化的設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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