DMN10H100SK3-13_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計用于高效能的電子電路中，提供20安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和100伏的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作性能。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為80毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）條件下，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率。該元件適用于各種需要快速開關(guān)和低損耗特性的應(yīng)用場合，例如電源適配器、電池充電管理系統(tǒng)以及便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)的電源轉(zhuǎn)換模塊，支持實(shí)現(xiàn)緊湊且高效的電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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