AP10TN135N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:110mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備5A的最大連續漏極電流（ID/A）與100V的最大漏源電壓（VDSS/V），確保了其在高壓環境下的穩定性能。該器件擁有110mΩ的導通電阻（RDON/mR），在降低功耗的同時提高了效率。工作電壓范圍內的柵源電壓（VGS/V）為±20V，保證了器件在多種電路配置中的兼容性。適用于電源轉換、信號放大及開關控制等應用場景，是高性能電子產品設計的理想選擇。
