AP10TN135N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:110mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具備5A的最大連續漏極電流(ID/A)與100V的最大漏源電壓(VDSS/V),確保了其在高壓環境下的穩定性能。該器件擁有110mΩ的導通電阻(RDON/mR),在降低功耗的同時提高了效率。工作電壓范圍內的柵源電壓(VGS/V)為±20V,保證了器件在多種電路配置中的兼容性。適用于電源轉換、信號放大及開關控制等應用場景,是高性能電子產品設計的理想選擇。
