AD90N03S_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET具有連續漏極電流（ID）100A的能力，能夠支持大電流的應用需求。其最大漏源電壓（VDS）為30V，確保了在不同電壓環境下的可靠性。該MOSFET的導通電阻（RDSON）低至3.8mΩ，有助于減少發熱并提高轉換效率。最大柵源電壓（VGS）為20V，增加了電路設計的靈活性。適用于多種電源轉換和控制場景，包括但不限于開關電源、信號放大及保護電路等。
