DMN62D0UDWQ-7_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下電氣特性：最大漏極電流ID為0.1A，最高漏源電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON為1300mΩ，柵源電壓范圍VGS為±20V。這款MOSFET適用于需要高效率開關(guān)操作的電路中，如電源管理、電池保護和信號切換等應(yīng)用場合。其低導(dǎo)通電阻有助于減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)整體能效。同時，該器件的小型化設(shè)計有利于節(jié)省PCB空間，適合于緊湊型電子產(chǎn)品設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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