SI2318CDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:30mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有出色的電氣特性，適用于廣泛的電路設(shè)計(jì)中。其最大漏極電流ID可達(dá)5A，擊穿電壓VDSS為40V，確保了在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。導(dǎo)通電阻RDON低至30mΩ，在大電流應(yīng)用中能有效減少發(fā)熱，提高效率。柵源電壓VGS范圍寬至20V，為驅(qū)動(dòng)提供了靈活性。此MOSFET適合用于電源管理、信號(hào)切換等精密控制場(chǎng)合，能夠滿足高性能要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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